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印染汙水流量計勵磁係統硬件研製

點擊次數:2210 發布時間:2021-08-19 07:29:56
1、 高、低壓切換恒流控製電路
高、低(dī)壓切換恒流控製(zhì)電路是勵磁控製係統中的關鍵部分,由高、低壓電源、能量回饋電路、高低壓切(qiē)換(huàn)電路、恒流控製電(diàn)路(lù)、電流旁路電路和遲滯比(bǐ)較(jiào)電路組成,其電路原理如圖2所示(shì)。

高、低壓電源來自於AC-DC模塊。其中,高壓源(yuán)直接采用AC-DC的80V輸出電源;低壓源則由DC-DC轉換器對(duì)AC-DC模塊的24V輸出(chū)電源進行轉換得到的可調電壓源。電壓(yā)大小則以保(bǎo)證勵磁穩態時,恒流控製電路中的三端穩壓器輸入輸出壓差相對較小為準,以降低電路損耗;能(néng)量回饋電路由儲能電容C1、保護二*管D1和能量泄放電阻R1組成。其中,電容C1用於儲存勵磁方向切(qiē)換時,勵磁線圈(quān)中泄(xiè)放的(de)能量。齊納(nà)二*管D1用(yòng)於防止勵磁線圈中(zhōng)能量泄放時,由於電容C1的充電電壓過高,而導致的電容擊穿。電阻R1用於(yú)在係統斷電不工作時,為電容C1提供能量泄放回路;高低壓切換電路(lù)主要(yào)由肖特基二*管和達林(lín)頓三*管組成高低壓平滑切換電路。當達林頓三*管導通時,將高壓源切換為(wéi)勵磁工作電(diàn)源,肖(xiāo)特基(jī)二*管反向關(guān)斷,低壓源被(bèi)切除。而當(dāng)達林頓三*管關斷時,肖特基二*管重新正向導(dǎo)通,將低壓(yā)源切換(huàn)為勵磁工作電源(yuán)。恒流控製(zhì)電路由三端穩壓芯片、電阻R2與肖特基二*管D3構成。電阻R2用於設置恒流源輸出電流的大小,即勵(lì)磁電流的穩態值;由於勵磁電流達到(dào)200mA左右,為防(fáng)止長期勵磁導致(zhì)電路溫(wēn)升並影響(xiǎng)電路參數,電阻R2選用大(dà)功率低溫漂係數的精密電阻;肖特基二*管D3一方麵用於防止反向電流損壞三端穩壓器(qì);另一方麵用(yòng)於組成勵磁線圈的能量泄放回路的一部分;電流旁路電路主(zhǔ)要由達林頓三(sān)*管組成,由遲(chí)滯比較電路控(kòng)製通斷;遲滯(zhì)比較電路主(zhǔ)要由運放和(hé)電阻等分立元(yuán)件搭建而成(chéng)。比較電路一端輸入為基準Vref,其值取決(jué)於勵磁電流的穩態設定值大小,另(lìng)一端輸入則(zé)為檢流電路檢測得到的勵磁電流信號Cur。
2、 H橋(qiáo)勵磁(cí)開關電(diàn)路(lù)與檢流(liú)電路
H橋開關電路主要由H橋路及其驅動電路組成,用(yòng)於實現對勵磁線圈進行方波(bō)勵磁。原(yuán)理(lǐ)示(shì)意圖如圖3所示。

圖中,L1為勵磁線(xiàn)圈的示意符號。H橋路中,高端橋臂采用(yòng)PNP型的達林頓三*管,以通過電流控製(zhì)其通斷,從(cóng)而克服因線圈的電(diàn)感特性導(dǎo)致H橋高(gāo)端電壓大(dà)幅波動而較難控製的問題。H橋驅動電路主要(yào)由(yóu)達林頓陣(zhèn)列管和三*管等組成,為H橋高端橋臂提供電流控製(zhì)信號,為H橋低端(duān)橋臂提供電壓控(kòng)製信號,且對H橋(qiáo)的(de)控製采用(yòng)對臂聯動控製方式,即由控製信號CON1控製H橋T1管和T4管的通斷,由控製信號CON2控製(zhì)H橋T2和(hé)T3的通斷。CON1和CON2為正交(jiāo)的PWM波,從而實現對勵磁線圈的方波勵磁。勵磁係統(tǒng)中檢流電路主要由檢流電阻組(zǔ)成(chéng),檢流電阻同樣采(cǎi)用大功率低溫漂的精密電阻以避免長期勵磁工作時電路溫升引起(qǐ)電路參(cān)數的較大漂移。另外,檢流電阻取低阻值電(diàn)阻以(yǐ)降低H橋低(dī)端電壓波動,從(cóng)而保證H橋低端橋臂可靠通斷。
3 、勵磁時(shí)序產(chǎn)生電路
勵磁時序產生電路用於產生勵磁控製信(xìn)號CON1和(hé)CON2以控製方波勵磁時序,其電路原理結構圖如(rú)圖4所示。

該電路主要由勵磁時序發生單元、三態緩衝器及隔離光耦組成。勵磁時序由印染(rǎn)汙水(shuǐ)流量計係統的控製核心產生(shēng)。采用DSP的EPWM外設模塊,通過設定其內部定時器的工作模式發出所要求的勵(lì)磁頻率的勵磁時(shí)序PWM信號CT_1和CT_2。由於勵磁控製係統中的勵磁(cí)工作電源的電壓要比DSP的工作(zuò)電源電壓高得多,為(wéi)防止勵磁電路故障(zhàng)對係統控製核心產(chǎn)生致命影響,采用光耦將控製(zhì)部分與勵磁部分進行隔離。另外,由於DSP引腳的驅動能力有限,所以在DSP與隔離光耦之間加(jiā)入三態緩衝器以驅動隔離光耦的輸入級。並且,DSP能夠通過GPIO口控製三態緩衝器(qì)上的使能引腳來使能和禁止勵磁,以在檢(jiǎn)測到電路故障時迅速關(guān)斷H橋所有橋臂。該勵磁時序(xù)產生電路通過軟件編程可產生如圖5所示(shì)的單頻矩形波。在實際應用中,由於組成H橋的達林頓三*管與(yǔ)MOS管導通與(yǔ)關斷的時間不一致,易在勵磁方向切換瞬間,產(chǎn)生上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通(tōng)的現象,反映在(zài)勵磁電(diàn)流(liú)波(bō)形上(shàng)為一幅值很高的窄脈衝。該脈衝電流不僅容易(yì)引起遲滯比(bǐ)較(jiào)電路的誤輸出,從而導致高低壓(yā)切換電路(lù)與電流旁路電路的誤(wù)動作,而且對恒流控製電路(lù)產生衝擊,減小三端穩壓芯片的使用壽命,同時還會(huì)產生EMC電磁幹擾,給測量精度帶來影響。所以實際(jì)應用(yòng)時(shí),如圖5所示對方波勵磁時序添加(jiā)死區,可以明顯減小上述現象。

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